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微电子制造科学原理与工程技术(第二版)(英文版)

信息来源:当当  

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作者:谢金明 著,谭博等改编 出版社:电子工业出版社
ISBN:7505386263
印次:1

纸张:胶版纸 出版日期:2003-4-1
字数:1008千
版次:1
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内容提要:
    本书系统地介绍了微电子制造科学原理与工程技术覆盖了集成电路制造所涉及的怕有基本单选工艺,包括光刻、等离子体和反应离子刻蚀、离子注入扩散、氧化、蒸发、气相外延生长、溅射和化学气相淀积等对每一种单项工艺,不仅工艺技术加快速热处理、 下一代光刻、分子束外延和金属有机物化学气相淀积等。在此基础上本书讨论了如何将这些单项工艺集成为各种常见的集成电路工艺技术,如CMOS技术、双极型技术和砷化镓技术,还介绍了微电子制造的新领域即微机械电子系统及其工艺技术。 本书可作为高等学校微电子专业本科生和研究生相应课程的教科书或参考书,也可供与集成电路制造工艺技术有关的专业技术人员学习参考。   作者简介:     Stephen A.Campbell:明尼苏达大学电子与计算机工程系教授兼明尼苏达大学微技术实验室主任。无论是在工业界还是在大学实验室,他在半导体器件制造领域都有着广泛的经验。他的研究领域主要包括快速热化学气相淀积、高性能栅介质、磁MEMS和纳米结构等。  
目录:
第1篇 综述与题材
第1章 微电子制造引论
第2章 半导体衬底
第2篇 单项工艺1:热处理和离子注入
第3章 诉散
第4章 热氧化
第5章 离子注入
第6章 快速热处理
第3篇 单元工艺2:图形转移
第7章 光学光刻
第8章 光刻胶
第9章 非光学光刻技术
第10章 真空科学和等离子体
第11章 刻蚀
第4篇 单项工艺3:薄膜
第12章 物理演积:蒸发和溅射
第13章 化学气相淀积
第14章 外延生长
第5篇 工艺集成
第15章 器件隔离、接触和金属化
第16章 CMOS技术
第17章 GaAs工艺技术
第18章 硅双极型工艺技术
第19章 微机电系统
第20章 集成电路制造
附录1 缩写与通用符号
附录2 部分半导体材料性质
附录3 物理常数
附录4 单位转换因子
附录5 误差函数的一些性质
附录6 F数
附录7 SUPREM指令

  编辑推荐:     随着我国经济建设的发展和科学技术的不断进步对高校教学工作会不断提出新的要求和希望。我想,无论如何,要做好引进国外教材的工作,一不定期要联系我国的实际。教材和学术专著不同既要注意科学性,学术性,也要重视可读性,更深入浅出,便于读者自学;引进的教材要适应高校教学改革的需要,针对目前一些教材内容较为陈旧的问题,有目的地引进一些先进和正在发展中的交叉学科的参考书;要与国内出版的教材相配套安排好出版英文原版教材和翻译教材的比例我们努使这套教材能尽量满足上述要法语,希望它们能放在学生们的课桌上,发挥一定的作用。  
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