集成电路器件电子学（第三版）——国外电子与通信教材系列

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作者：（美）米勒等著，王燕等译出版社：电子工业出版社
ISBN：7121005263
印次：1

纸张：胶版纸出版日期：2004-11-1
字数：806000
版次：1

内容提要：
本书系统介绍了集成电路器件电子学，其内容可分为两部分：第一部分

学习半导体器件必须的知识，包括半导体物理和工艺的基本知识，以及金属-半导体接触和pn结理论；第二部分系统深入地阐述了双极晶体管和MOS场效应晶体管的工作原理和特性。书中每章后有大量的习题，供读者加深理解所学的知识。
本书可作为高等学校微电子专业本科生和研究生相应课程的教科书或

考书，也可供在相关领域工作的专业技术

员参考。作者简介： Richard S.Muller，自20世纪60年代早期硅集成电路发明以来，Richard S.Muller一直从事

一领域的研究工作。他于1962年在加州理工学院获得博士学位。此后加入加州大学伯克利分校，进行前瞻性的研究与教学工作。通过与校内的电路设计人员，器件专家和工艺人员的合作，以及在硅谷几家公司的咨询活动，他在集成电路领域获得了相当的知名度和实践经验。这样的经历为他的新课程的建立提供了坚实的基础。该课程的名称后来被用作本书的书名，并且他已经给伯克利分校的多届学生教授这门课程。70年代后期，他开始从事现在称为“微机电系统”领域的研究，并在1986年与一位同事一起建立了伯克利传感器与执行器中心。他现为美

国家工程院院士，并且是IEEE的会员。其他的一些荣誉包括：IEEE学会BRUNETI奖，STEVENS工学院复兴奖，ALEXANDER VON HUMBOLDT研究奖，伯克利嘉奖，北大西洋公约组织研究员和富尔布赖特研究奖。 Muller教授目前还是STEVENS工学院董事会成员。

目录：
第1章半导体电学特性
1.1 半导体材料物理
1.2 半导体中的自由载流子
1.3 器件：霍尔效应磁传感器
小结
参考文献
参考书
习题
第2章硅工艺
2.1 硅平面工艺
2.2 晶体生

2.3 热氧化
2.4 光刻和图形转移
2.5 掺杂和扩散
2.6 化学气相淀积
2.7 互连和封装
2.8 化合物半导体工艺
2.9 数值模拟
2.10 器件：集成电路中的电阻
小结
参考文献
参考书
习题
第3章金融-半导体接触
3.1 电子系统中的平衡
3.2 理想的金属-半导体结
3.3 电流-电压特性
3.4 非整流（欧姆）接触
3.5 表面效应
3.6 金属-半导体器件：Schottky二极管
小结
参考文献
参考书
习题
第4章 pn结
4.1 缓变杂质分布
4.2 反偏pn结
4.3 结的击穿
4.4 器件：结型场效应晶体管
小结
参考文献
参考书
习题
4.5
第5章 pn结中的电流
第6章双极晶体管I：基本特性
第7章双极晶体管II：局限性与模型化
第8章金属-氧化物-半导体系统的性质
第9章 MOS场效应晶体管I：物理效应和模型
第10章 MOS场效应晶体管II：强场效应
部分参考答案
附录
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