模拟CMOS集成电路设计

信息来源:当当

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作者：（美）罗扎著出版社：清华大学出版社
ISBN：7302108862
印次：1

纸张：胶版纸出版日期：2005-8-1
版次：1

内容提要：
模拟集成电路的设计与其说

一门技术，还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石，而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。

也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。
美

加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&T，Bell Lab，HP)卓著的研究经历为我们提供了这本优秀的教材。本书自2000午出版以来得到了国内外读者的好评和青睐，被许多国际知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名顶级公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究

员和工程技术人员的

考书。作者简介： Behzad Razavi received the B.B.Sc.degree in electrical engineering from Sharif University of Technology in 1985 and the M.Sc. and Ph.D.degrees in electrical engineering from Stanford University in 1998 and 1992,respectively.He was with AT&T Bell Laboratories and subsequently Hewlett-Packard Laboratories until 1996.

目录：
About the Author
Preface
Acknowledgments
1 Introduction to Analog Design
1.1 Why Analog?
1.2 Why Inegrated?
1.3 Why CMOS?
1.4 Why This Book?
1.5 General Concepts
2 Basic MOS Device Physics
2.1 General Considerations
2.2 MOS I/V Characteristics
2.3 Second-Order Effects
2.4 MOS Device Model
3 Single-Stage Amplifiers
3.1 Basic Concepts
3.2 Common-Source Stage
3.3 Source Follower
3.4 Common-Gate Stage
3.5 Cascode Stage
3.6 Choice of Device Models
4 Differential Amplifiers
……
5 Passive and Active Current Mirrors
6 Frequency Response of Amplifiers
7 Noise
8 Feedback
9 Operational Amplifiers
10 Stability and Frequency Compensation
11 Bandgap References
12 Introduction to Switched-Capacitor Circuits
13 Nonlinearity and Mismatch
14 Oscillators
15 Phase-Locked Loops
Appendix A Short-Channel Effects and Device Models
Appendix B CMOS Processing Technology
Appendix C Layout and Packaging
Index