最近几年电子device高速化、高密度化的进步
目不暇给,电子回路也随着
股潮流朝向高密度封装方向发展。虽然电子device的性能获得飞跃般的提升,相对的造成电子device根本宿命更加复杂,也就
说祇要是与利用电气能量的技术,注定要与电子噪讯(noise)产生无法割舍的纠缠。
所谓的噪讯(电磁波EMI: Electro Magnetic interfere与静电SI:Static interfere )对策技术原本属于电路设计的范畴,而不是事后防止噪讯发生或是强化耐噪讯能力,根本上必需根据设计条件赋与电路最适切的layout才是治本上策。
高速化、高密度化的冲击
电路高速化、高密度化对噪讯对策技术所带来的冲击,使得设计人员必需面临图1所示的对策技术。
图1 电路高速化、高密度化所带来的冲击与有效的噪讯对策技术
(1).电路高速化的冲击
电路高速化后影响最大莫过于电磁气现象,相对于物理尺寸的电气
度(频率×物理尺寸),基本上因频率数而变大,使得阻抗相对变得更加复杂,决定电流通路的阻抗(impedance)之中有两个电抗(reactance)的影响最大,分别是:
电气长度的增加
频率越高相对的电气长度也越长,这意味着即使是相同的物理尺寸,由于波长的因素,使得分布于电子组件与配线的电磁界也不尽相同。如果分布于电子组件与配线的电磁界位相相同,且对外部都无影响时,基本上就可将处理对象视为近似集中定数电路。事实上波长越短分布的电磁界位相如果不一样时,就必需以分布定数电路来处理。此外相对于能量行进方向所决定的电磁界特性若 不相同时,则需以三次元电磁界方式来处理。
电抗(reactance)增加的影响
几乎所有电子组件与配线都会有阻抗、电感(inductance)、电容 (capacitance) 成份,而且各成份所受到频率的影响程度也都不同。一般而言电子组件的阻抗、电感、电容之中,又以所谓的电抗动作成份最明显。需注意的是上述统称的电抗,通常是指低频领域所产生的现象,当频率变高时该称通有必要重新思考定义。有关配线在高频领域,电流并不见的祇沿着电路图描的配线流动,根本上电流是在阻抗较小的路径上流动,因此电路图未描绘处如果发生电磁界结合时就会产生电流通路,此时就必需将电路配线视为三次元电磁界进行封装对策。
de-coupling capacitor的界限
de-coupling capacitor在噪讯对策具有非常重要的效益,因此接着要以de-coupling capacitor为例,具体说明电路高速化后的冲击。通常将高频成份作旁通(bypass)的电容器(capacitor),在高频领域并无法获得预期的动作效应。图2是实验用印刷电路板(PCB:Printing Circuit Board)上74ALVC IC周围的近傍磁界分布状况,由图可以清楚看到频率为200MHz时,电容器将电源的高频电流完整的旁通(bypass);不过当频率变为900MHz时,电容器几乎无法将电源的高频电流旁通。流向IC的接地(ground)电流,是由接地配线trace供给,而右上方未连接处IC接脚(pin)有一股强大的磁界流向IC芯片(chip)电源部,一般认为该现象是部分电源电流是由右上方IC,经由IC芯片路径提供所造成的,在这种情况下即使印刷电路板的电源配线(亦称为导线)IC,与右上方接脚IC芯片电源部结合,电源电流依然会流通。
此外频率为900MHz时,电源配线对的电源配线与接地配线的磁界强度并不相同,因此推测流通的电流也不相同。造成这种现象主要原因是当频率增高时,电源配线端与接地配线的阻抗差异亦随着加大,最后导致电流的平衡度劣化。由此可知de-coupling技巧本身对噪讯对策具有决定性的影响。

图2 高频de-coupling capacitor周围磁界分布
(2).高密度化封装的冲击
电路高速化后电磁气的扩散会缩小,对噪讯对策而言,条件变好的情况反而有增多的趋势。若从电子电路封装角度观之,电路的功能几乎被浓缩在LSI内,所以高频电流大多集中在LSI内,因此LSI内若未进行有效的噪讯对策的话,一旦组成电子成品后就无计可施,此外随着IC大规模积体化,封装时各电子组件的适用性经常受到额外的限制,造成与性能无关的电子组件与结构体很容易受到排挤,因此利用外部屏障(shield)结构作噪讯对策,与各种噪讯对策用单体组件的适应性,今后将面临极大的挑战与质疑。

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