参考设计：DI-124LinkSwitch-TN超宽范围输入反激式电源

作者：信息来源:article.ednchina.com 2008-4-1

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设计特色•。 StackFETTM反激式拓扑在极宽的输入范围内输出全功率•。C迟滞热关断工作方式交流输入经整流和滤波，合成为直流加到变压器初级绕组的一端。L1、C1和变压器E-Shield绕组允许设计满足EN55022 B传导限制并且有较好的裕量。...

　　设计特色

　　• StackFETTM反激式拓扑在极宽的输入范围内输出全功率

　　• E-ShieldTM变压器结构减少了共模EMI（>10 dBμV裕量）

　　• 66 kHz开关频率和频率抖动降低了传导EMI

　　• 简单的ON/OFF控制器－无需反馈补偿

　　• 自动重启动功能：自恢复的开环、过载和短路保护

　　• 内置的135 ºC迟滞热关断

　　工作方式

　　交流输入经整流和滤波，合成为直流加到变压器初级绕组的一端。耐压450 V的电容与并联平衡电阻叠加在一起以达到要求的电压额定值。电阻R1到R4在出现突然失效的情况下提供保险功能。L1、C1和变压器E-Shield绕组允许设计满足EN55022 B传导限制并且有较好的裕量。

　　一个600 V MOSFET、Q1和U1配置成StackFET结构（cascode）。U1的漏极驱动Q1的源极，同时Q1的漏极驱动变压器初级。U1的漏极电压被VR1-3限制在450 V。将U1和Q1的最大合成峰值漏极电压扩展到1050 V。电阻链R6-R8给Q1的栅极提供启动充电，R9阻尼高频振荡。一旦转换器工作起来，栅极主要由储存在VR1-3电容中的电荷驱动。齐纳管VR4限制了Q1的栅极到源极的电压。漏感能量被VR5和D9箝位，增加R10减小了振荡和由此产生的EMI。

　　U1的操作不受StackFET结构的影响。当内部MOSFET导通时，Q1也开通，把输入电压加到变压器初级。一旦初级电流达到U1的内部限流点，MOSFET关断，储存的能量被传送到输出。稳压通过ON/OFF控制来维持。开关周期根据进入U1反馈引脚的电流进行使能关断。这非常理想的状态，因为这会使有效开关频率随负载降低、开关损耗按比例递减和并使效率最大化。LinkSwitch-TN的使用进一步提高了效率，因为它的开关频率只有66 kHz。