BJT的电流分配与放大作用

作者：信息来源:电子市场 2007-1-16

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1、BJT内部载流子的传输过程 BJT工作于放大状态的基本条件：发射结正偏、集电结反偏。在外加电压的作用下， BJT内部载流子的传输过程为：（1）发射极注入电子由于发射结外加正向电压VEE，因此发射结的空间电荷区变窄，这时发射区的多数载流子电子不断通过发射结扩散到基区，形成发射极电流IE，其方向与电子流动方向相反，...

1、BJT内部载流子的传输过程　　

　　BJT工作于放大状态的基本条件：发射结正偏、集电结反偏。

　　在外加电压的作用下， BJT内部载流子的传输过程为：
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（1）发射极注入电子 　

　　由于发射结外加正向电压V_EE，因此发射结的空间电荷区变窄，时发射区的多数载流子电子不断通过发射结扩散到基区，形成发射极电流I_E，其方向与电子流动方向相反，如图3.2所示。

　　　

（2）电子在基区中的扩散与复合　　　　　　

　　由发射区来的电子注入基区后，就在基区靠近发射结的边界积累起来，右基区中形成了一定的浓度梯度，靠近发射结附近浓度最高，离发射结越远浓度越小。因此，电子就要向集电结的方向扩散，在扩散过程中又会与基区中的空穴复合，同时接在基区的电源V_EE的正端则不断从基区拉走电子，好像不断供给基区空穴。电子复合的数目与电源从基区拉走的电子数目相等，使基区的空穴浓度基本维持不变。这样就形成了基极电流I_B，所以基极电流就电子在基区与空穴复合的电流。也就是说，注基区的电子有一部分未到达集电结，如复合越多，则到达集电结的电子越少，对放大是不利的。所以为了减小复合，常把基区做得很薄 (几微米)，并使基区掺入杂质的浓度很低，因而电子在扩散过程中实际上与空穴复合的数量很少，大部分都能到达集电结。

（3）集电区收集电子　　　　　　　　

　　集电结外加反向电压，其集电结的内电场非常强，且电场方向从C区指向B区。使集电区的电子和基区的空穴很难通过集电结，但对基区扩散到集电结边缘的电子却有很强的吸引力，使电子很快地漂移过集电结为集电区所收集，形成集电极电流I_C。与此同时，集电区的空穴也会在该电场的作用下，漂移到基区，形成很小的反向饱和电流I_CB0 。　