用万用表测量硅单结晶体管

作者：信息来源:电子市场 2007-1-17

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(1)极间电阻的测量测量极间电阻，可以检查管子结的好坏，也可以测出基极电阻RBB，测量方法如图1—128所示。测量后的数据可见下表所列。2KΩRx10KΩ10KΩ8KΩ8KΩ8KΩ所以要能找到截止和导通两种状态，才能表示管子是好的。图l—129所示是分压比的测量方法。...

(1)极间电阻的测量

测量极间电阻，可以检查管子结的好坏，也可以测出基极电阻RBB，测量方法如图1—128所示。

　

测量后的数据可见下表所列。

发射极到两个基极的反向电阻应映了发射极的漏电流。

个电流

很小的，一般只有1—2μA，因此阻值应该很高，即使用高电压的电阻档量，阻值也很高。

(2)分压比的粗测方法

硅单结晶管是个负阻元件，它可以存在两种状态，一种是发射放电流极小的截止状态，一种是发射极电流较大的导通状态。

型号

EΘB₁⊕

EΘB₂⊕

B₁⊕B₂Θ

B₁ B₂⊕

BT33B

Rx1Ω

700Ω

500Ω

―

Rx10Ω

1KΩ

900Ω

10KΩ

Rx1KΩ

13KΩ

8.7KΩ

8.2KΩ

Rx10KΩ

10KΩ

8KΩ

   所以要能找到截止和导通两种状态，才能表示管子是好的。图l—129所示是分压比的测量方法。

    测量时，先用1.5V外加电源接通两基极(一定要先接通两基极电源，  否则测量不准)，万用表置于R xlkΩ档或R xl00Ω档，通过表内电池接通发射极。如果万用表指针不摆动，阻值无穷大，则此管子的η＞0.5l。如果万用表指针摆动(那怕只摆动很小)，说明该管子η＞0.53。初步说明前者管子是好的，后者管子有毛病。

    再把外加电源E提高到3V，然后重复上述步骤，此时万用表指针不动的管子其0.25＜η＜0.53，而万用表阻值较小的管子其0..27(因为万用表R×100Ω或R×lKΩ档是使用表内

1.5V电池)．

   对于η＜0.27的管子，再将外加电源电压提高到4.5V，如果指针摆动仍很大，则表示该被测管难以截止，即使该管子不是坏的，也不会好用。

    如果要测得分压比6的具体数值，可按图1—130所示接线。图中D为硅二极管，万用表为直流电流档，其它元件无将殊要求，电源电压E采用10V左右，电压表的具体读数为5V，则η＝V/E

    如电源电压采用10V，万用表电压读数为5V，则η＝5/10=0.5

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