”IBM公司日前宣布，将出资两亿美元与日本一家公司联合开发45纳米芯片制造工艺，并预计可在2007年投产。45纳米也就
0．045微米。目前全球芯片市场以0．18微米、0．13微米和0．09微米的规格为主。今年4月，由中
科学研究院计算技术研究所研制的，我国首个具有自主知识产权的高性能通用处理器龙芯2号，采用的是0．18微米的工艺。
家日本公司将开发一种光掩膜工艺，新的光掩膜工艺将为0．045微米芯片的生产提供可能。新技术将使芯片上晶体管之间的间距由0．09微米、0．065微米缩减到0．045微米，能够减少芯片的尺寸，或在芯片上集成更多的晶体管，大大增强相关硬件设备的运算能力。所有的研发和测试工作都将在美国完成，然后再被应用到这家日企的制造工厂。
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