富士通株式会社近日宣布将建立一个新的晶圆厂，采用最先进的65纳米工艺技术和300毫米的晶圆大批量生产逻辑半导体。该工厂将建在位于日本中部三重县的富士通三重半导体工厂内，这将是该工厂第二个300毫米晶圆厂，以下称简称为“300毫米晶圆二厂”。通过建立新的晶圆厂，富士通不仅能够满足日益增长的对采用先进工艺生产的半导...
富士通株式会社近日宣布将建立一个新的晶圆厂，采用最先进的65纳米
工艺技术和300毫米的晶圆大批量生产逻辑
半导体。该工厂将建在位于日本中部三重县的富士通三重半导体工厂内，
将
该工厂第二个300毫米晶圆厂，以下称简称为“300毫米晶圆二厂”。通过建立新的晶圆厂，富士通不仅能够满足日益增
的对采用先进工艺生产的半导体的需求，更能基于其先进的技术继续提供最优化解决方案和高
性能产品，继续成为客户可信赖的业务伙伴。
拥有双层洁净室结构的300毫米晶圆二厂计划在2006会计年度内建成(2006年4月至2007年3月)，并将于2007年4月投入运营，预计于2007年7月起开始批量出货。
在至2007会计年度末的两年时间内，富士通将为新晶圆厂投入约1200亿日元，使月生产能力达到10,000片晶圆。公司还将在市场需求趋势预测的基础上分阶段追加投资。富士通希望该厂的最大月生产能力能达到25,000片晶圆。
300毫米晶圆一厂是在三重工厂建成的第一个300毫米晶圆厂，拥有采用90纳米技术大批量生产300毫米晶圆的生产线，于2005年4月起开始运营，其月生产能力将在2006会计年度达到15,000片晶圆。
富士通能够提供同时实现高速运行和低能耗的先进工艺技术，其晶体管技术、铜线和低介电常数(1)工艺技术极具竞争力，受得了客户的一致好评。另外，富士通还凭借其令一次性成功完全运行(2)成为可能的设计方法(3)而大获成功。富士通正不断地与其蚣际趸锇榻写枭蹋⒃て诖?007会计年度开始，需求将大大地超过现在运营的300毫米晶圆一厂的生产能力。
300毫米晶圆二厂将拥有双层洁净室结构，可方便地扩大产能，它的建立将确保富士通能够向其客户稳定地提供先进的逻辑芯片。
300毫米晶圆二厂简介
工艺技术：65纳米和90纳米CMOS逻辑
晶圆直径：300毫米
建筑特点：抗震建筑；洁净室面积：24,000平方米(最大产能时)
生产能力：10,000片晶圆/月(2007会计年度投产)，最大产能25,000片晶圆/月
计划开业日期：2007年4月
300毫米晶圆一厂简介
工艺技术：90纳米和65纳米CMOS逻辑
晶圆直径：300毫米
建筑特点：抗震建筑；洁净室面积：12,000平方米
生产能力：15,000片晶圆/月(2006会计年度内)
开业日期：2005年4月
三重工厂简介
地点：日本三重县桑名市
雇员：约1,400名雇员(包括分公司)
主要产品：90纳米、130纳米和180纳米技术带上芯片(COT)、专用集成
电路 (ASIC)、专用标准产品(ASSP)、
单片机(MCU)
