第四季度DDR将成“过气”产品？

作者：佚名信息来源:info.china.alibaba.com 2006-10-12

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DRAMeXchange发表最新DRAM市场数据指出，DDR在现货市场缺货情况下，价格持续攀高。DDR 512Mb(64Mb*8) 400MHz则上涨至5。18美元，远超过DDR2颗粒价格。DDR 256Mb与DDR256Mb eTT颗粒分别上涨至2。...

DRAMeXchange发表最新DRAM市场数据指出，DDR在现货市场缺货情况下，价格持续攀高。DDR 512Mb(64Mb*8) 400MHz则上涨至5.18美元，远超过DDR2颗粒价格。DDR 256Mb与DDR256Mb eTT颗粒分别上涨至2.65美元以及2.62美元。由于DRAM制造商产能持续转进90nm，因此DDR 256Mb颗粒生产数量将会持续减少，在Intel积极消化掉支持DDR的865芯片组后，DRAMeXchange预期在第四季DDR将成为“过气”产品，价格波动将趋缓。

    反观DDR2部分，DDR2价格在DDR2 512Mb eTT上涨带动下，价格涨幅最高曾经达到18%，而近期已有通路商获利了结卖压出笼，DDR2 512Mb价格小幅回文件至4.62美元，DDR2 512Mb eTT则下跌至4.21美元。然而，第三季在PC旺季，DDR2合约市场已经出现供给吃紧现象，因此预期现货市场DDR2价格回文件空间也将有限。

    在Flash市场方面，集邦科技表示，NAND Flash现货市场价格持续向下修正，预计七月底之前价格不易上扬。基本上，上周NAND Flash现货市场的整体交易，除了4Gb的价格较为抗跌外，其余产品规格的现货价持续以约2至3%的幅度向下修正。

    根据DRAMeXchange的观察，目前七月整个NAND Flash现货市场处于微温的状态。与先前六月当时市场需求十分冷淡的状况相比，目前NAND Flash现货市场的交易量已有明显的提升；但若和过去旺季时NAND Flash现货市场交易热络的状况相比，此时的市场需求状况处于不上不下的阶段。

    尽管Samsung在七月上旬率先调整官价，Hynix在七月中旬也跟进；不过目前现货市场上多数买方都预期NAND Flash的价格在七月底前仍会继续下跌，因此，在现货市场上皆以更低的价钱开价，但卖方却不愿意继续降价出售，导致现在整体NAND Flash市场需求情况始终无法热络起来。

    多数市场士认为第三季NAND Flash的市场需求需求量不小，但寄望Apple、SanDisk、Microsoft和Sony等厂商的高容量MP3 Player，于第三季会如期上市且热卖之假设前提。然而目前NAND Flash终端应用产品市场，对小型记忆卡的需求还是处于普通的情形下，NAND Flash现货市场价格往下调整的走势要停止，或许要到八月才较为明朗化。