些低压PowerTrench®MOSFET专为优化汽车应用的效率、性能和线路板空间而设计,其应用包括动力转向、集成启动器/交流发电机,以及电机和螺线管驱动器设计等。 飞兆半导体的30/40V MOSFET
要求高电流密度和低功耗系统的理想选择,并根据汽车市场的最新发展趋势,从机械方式进展为机电方式。飞兆公半导体的30/40V MOSFET的RDSon)低至2.0m Ohms,是业界导通电阻最低的器件之一。除了性能方面的改善,这些器件还可节省线路板空间,因为一个飞兆半导体的低RDSon) MOSFET可替代两个在这些设计中传统使用较高RDSon)的MOSFET。而且,这些MOSFET能满足UIS要求并达到严格的AEC-Q101汽车标准,可在严酷的电气环境中提供高可靠性以保证其“坚固性”。
飞兆半导体功能功率部汽车功率产品副总裁Paul Leonard称:“飞兆半导体的新型30V MOSFET如2.3m Ohm FDB8860 器件,提供的导通电阻仅为55V或60V MOSFET的一半,因此能降低功耗至高压器件的二分之一。在汽车设计中,低导通电阻意味着更高的效率,因为功耗低及热量的产生较少。除了面向30V和40V应用的11种新器件外,飞兆半导体将继续扩充全线的车用MOSFET产品系列,以便更好地协助客户满足这个快速变化的市场需求。”
飞兆半导体面向汽车应用的MOSFET经鉴定达到ISO/TS 16949 标准。这标准是业界逐步开发适用于整个汽车供应链的单一标准的成果,包括设计/开发、生产及汽车组件的安装和服务。这个标准由
际汽车特别工作组 IATF) 起草,获得国际承认,并已成为北美和欧洲许多汽车OEM厂商的强制性要求。
这些无铅器件能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。
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