联华电子芯片进入45纳米时代 新芯片明年上市

作者：  信息来源:采购参考  2007-7-7

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【eNet硅谷动力消息】美国东部时间11月22日（北京时间11月23日）消息：中国台湾半导体厂商联华电子公司已经首次开始批量生产45纳米制程的静态RAM芯片。联华电子公司是利用浸液光刻技术来提高芯片刻蚀过程中的准确度，从而将静态RAM芯片的生产工艺提高到45纳米水平上。过去，在扫描镜片和硅面之间会留下一层空气，但是联华电...

【eNet硅谷动力消息】美东部时间11月22日（北京时间11月23日）消息：中国台湾半导体厂商联华电子公司已经首次开始批量生产45纳米制程的静态RAM芯片。 
　　联华电子公司利用浸液光刻技术来提高芯片刻蚀过程中的准确度，从而将静态RAM芯片的生产工艺提高到45纳米水平上。
　　过去，在扫描镜片和硅面之间会留下一层空气，但是联华电子利用液体光刻提高了硅片表面蚀刻的精确度。
　　台湾联华电子公司主研发分公司的执行副总裁Shih Wei Sun说：“45纳米制程的实现是技术上的一项重大突破，因为它带来了新材料和新工艺上的同步进展。”
　　他说：“能够成为首批生产45纳米硅的厂商，我们感到非常兴奋。而且第一批试生产出来的硅产品已经被证实为合格的。”
　　他说：“联合电子公司将再接再励，将项技术应用到更广的生产范围中去。”
　　新芯片需要一个要求相当严格的电源供应，联华电子用了相当的一段时间来确保能级处于理想状态之下。
　　生产工艺提高到45纳米制程对于联华电子来说相当重要，因为工艺制程的进步可以实现在一块芯片上安装更多的元件。由于电子传输的距离缩短，因而芯片的运行速度也将因此而提高，这样整个芯片的能耗就可以降低。
　　新芯片按计划将于明年上市销售。

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