三垦电气（Sanken）在与该公司展会“SANKENTECHNOFAIR2006”（2006年12月5～6日于东京召开）同期召开的技术研讨会上，介绍了在硅底板上形成的蓝色和绿色GaN（氮化镓）类发光二级管（LED）的开发情况。该公司目前正在两大类开发，一是集成多个LED的芯片，另一个是通过对LED构造下功夫进一步提高光输出功率的芯片。前者的led芯...
三垦电气（Sanken）在与该公司展会“SANKEN TECHNO FAIR 2006”（2006年12月5～6日于东京召开）同期召开的技术研讨会上，介绍了在硅底板上形成的蓝色和绿色GaN（氮化镓）类发光二级管（
LED）的开发情况。该公司目前正在两大类开发，一
集成多个LED的芯片，另一个是通过对LED构造下功夫进一步提高光输出功率的芯片。
前者的led芯片是一种在单芯片上矩阵排列LED单元，可单独驱动每个LED单元的自发光型显示器。三垦电气称，该产品设想应用于LED打印机的打印头上所配备的LED阵列芯片、光学取景器、投影机的显示元件等。其中，有望应用于LED打印机的打印头。在展会会场上，该公司展示了以30μm间隔集成16像素×16像素LED单元的芯片。芯片尺寸为985μm见方。
在单芯片上以矩阵状集成GaN类LED此前也有过先例，但此次三垦电气的产品，其像素（LED单元）发光更醒目。
是因为，新产品的底板采用的是能够吸收光的硅，只要去掉LED单元之间的GaN类膜，LED单元发出的光就不会漏向相邻的单元。而目前一般在蓝宝石底板上形成的GaN类LED，蓝宝石底板本身就会让光透过。即使去掉LED单元间的GaN类膜，LED单元发出的光还是会穿过蓝宝石底板漏向相邻单元。
提高光输出功率的LED在GaN类LED芯片在发光层和硅底板之间
设置了反射层，而且在LED芯片表面还覆盖了微小的凹凸。设置反射层能够导出此前被硅底板所吸收的光。与现行的芯片构造相比，将光导出芯片的效率（光导出效率）提高了3.5倍。反射层使用的是
金属材料。在GaN系
半导体膜和硅底板之间设置金属反射层时采用了先在硅底板上形成GaN类半导体膜（包括发光层），然后将其剥下，再张贴到其他的硅底板上的技术。
芯片表面的凹凸具有的作用是：使从芯片内部向芯片外部发出的光不发生全反射，将光导出芯片。三垦电气称，光导出效率提高了3.3倍。凹凸是在形成LED表面的膜后，采用
热处理方式
加工而成。
如果结合反射层以及芯片表面的凹凸，光导出效率就能达到原来的5倍。此外，该公司正在开发可投入为原来10倍的工作
电流，以此来实现光通量为原来50倍的芯片。
