驱动MOSFET和IGBT的最佳解决方案。
员提供了灵活性,可按照其应用规范来优化印制版空间和系统性能。
些高性能HVIC的特性包括:8-DIP、8-SOP和14-SOP封装,以及关断、死区时间控制和短路保护等选项。"
系统可靠性 - 飞兆半导体的HVIC具有业界领先的电平转换电路,及上桥臂驱动单元负VS摆幅高达 -9.8V (VBS=15V)。与市场上其它HVIC不同,该器件具有能省去外部二极管的独特性能。此外,飞兆半导体的HVIC通过采用共模dv/dt噪声消除电路提供卓越的抗干扰能力;
节能 - 由于这些IC极低的静态电流从而使得其功耗为业界最低,而这在电机应用中特别重要的一个特性。
稳定的性能 - 这些HVIC通过优化内部电路设计而实现具有极稳定的温度特性;这些HVIC可在很宽的高低温环境范围内正常工作,从而保证在各种应用中的稳定性能。
为了进一步提高效率,这些HVIC采用悬浮通道设计,以实现母线电压高达+600V的自举电路良好运作。其可靠性通过上下桥臂欠压锁定 (UVLO) 及11-20V 的VCC电源电压范围而提高。
这些无铅产品能够达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。
当与飞兆半导体先进的MOSFET、IGBT和小信号分立器件共用时,飞兆半导体的半桥栅极驱动器可为设计人员提供完整的半桥解决方案。
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