RFMD近日在美国加利福尼亚举行的IEEERadioandWirelessconference(IEEE射频无线会议)上展出其最新的两款射频开关RF1200和RF1450。RF1200和RF1450利用RFMD业界领先的GaAs生产工艺，并将进一步推进用于RFMD传送模块中的开关技术的发展。这些高性能开关有助于推出适用于多模GSM/WCDMA蜂窝手机、天线调谐器、IEEE802。RF1200为一...
RFMD近日在美
加利福尼亚举行的IEEE Radio and Wireless conference(IEEE射频无线会议)上展出其最新的两款射频
开关RF1200和RF1450。
RF1200和RF1450利用RFMD业界领先的GaAs生产
工艺，并将进一步推进用于RFMD传送
模块中的开关技术的发展。
些高
性能开关有助于推出适用于多模GSM/WCDMA蜂窝
手机、天线调谐器、IEEE802.11a/b/g WLAN和蜂窝基础设施等的前端器件。
RF1200为一款单刀双掷(SPDT)大功率开关，可满足WCDMA产品的所有线性要求，具有插入损耗低、控制
电压低、杂散特性好等优点。RF1200采用0.5μm GaAs pHEMT工艺制成，采用2×2mm的无铅QFN封装，共有6个引脚。
RF1450为一款单刀4掷(SP4T)大功率开关，设计用于多模WCDMA产品，可提供极佳的线性性能。RF1450内含集成解码逻辑，仅需两路控制线便可实现开关控制。RF1450采用紧凑的3×3×0.6mm的无铅QFN封装，共有16个引脚。
RF1200具有以下特点：
插入损耗低，0.35dB@1GHz
隔离性能好，25dB@2.2GHz
控制电压低，2.6V至5.0V
杂散波：-80dBc@1GHz
采用GaAs pHEMT工艺生产
RF1450具有以下特点：
插入损耗低，最大仅为0.60dB
隔离性能好，15dB@2.2GHz
控制电压低，2.6V至5.0V
杂散波：-75dBc@1GHz
采用GaAs pHEMT工艺生产
RFMD RF1200和RF1450现已开始量产。订购数量为10,000件时，RF1200为每件0.59美元，RF1450为每件1.19美元。
