ST推出了一个采用65nm制造工艺的PR系列NOR闪存产品。基于第四代多电平单元(MLC)技术，65nmPR系列闪存的软硬件兼容现有的90nmPR系列NOR闪存，为客户升级现有系统提供了一条捷径，同时还提高了存储密度和产品性能。 为满足移动应用市场对高分辨相机、多媒体内容和快速联网的需求，新的65nmPR系列闪存的突发读取速度达到133MH...
ST推出了一个采用65nm制造
工艺的PR系列NOR闪存产品。基于第四代多电平单元(MLC)技术，65nm PR系列闪存的软硬件兼容现有的90nm PR系列NOR闪存，为客户升级现有系统提供了一条捷径，同时还提高了存储密度和产品
性能。
为满足移动应用市场对高分辨相机、多媒体内容和快速联网的需求，新的65nm PR系列闪存的突发读取速度达到133MHz，
编程速度达到1.0-MB/s，支持深关断睡眠模式，采用1.8V
电源电压。
个先进的NOR闪存系列产品与LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM和NAND
存储器芯片以共享总线或分用总线的配置组装在一起，以多片封闭(MCP)和层叠封装(PoP)解决方案的形式提供给广大用户。
“通过进军65nm蚀刻工艺，意法
半导体提供了一个极具竞争力的解决方案，为OEM融入设计高密度NOR闪存解决方案增加了一个新的选择，”Semiconductor Insights公司存储器产品首席分析师Geoff MacGillivray表示，“与主要竞争产品相比，裸片尺寸50.8mm²的ST 1-Gbit MLC NOR闪存
市场上最小的闪存芯片，创造了20.16-Mbit/mm²的最高Mbit/mm²存储密度。单元尺寸也非常小，仅为0.042µm²。”
“1000兆位单片存储器采用65nm多电平单元制造技术，有助于提高系统性能，增强最终用户的使用体验，”意法半导体无线NOR闪存产品部副总裁兼总经理Marco Dallabora表示，“512兆位的65nm NOR闪存芯片是简易的ST 90nm PR系列升级解决方案，目前该芯片已集成到现有的高性能平台内。”
65nm PR系列是意法半导体与
英特尔于2005年12月宣布的合作计划的一部分，这项目前还在进行的合作计划的目的是为客户提供最新的高性能产品，并提供多货源的采购灵活性。
新产品样片现已上市，拟定于2007年上半年开始量产，256-Mbit、512-Mbit和1-Gbit闪存与PSRAM、LPSDRAM和NAND存储器芯片的堆叠封装产品的预算
价格估计在10美元到30美元之间。
