款CMOSCDR在以40-Gbps的速度运行时耗电0.91瓦,运用了三重超取样(oversampling)结构。输入数据使用24阶分布式VCO,一个数字CDR恢复16位,一个2.5GHz时钟处理样品。圆片尺寸(DieSize)为0.8-1.8平方毫米,采用该公司的90纳米CMOS工艺制造,这证明在将来的高速光模块中使用CMOS制造最复杂的电路模块的可能性。

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