非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出半导体业界首个4兆位(Mb)FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封(TSOP)的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗...
非易失性铁电
存储器(FRAM)和集成
半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出半导体业界首个4兆位(Mb)FRAM存储器，
目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。 FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封(TSOP)的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM(SRAM)在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器
、
网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。
产品特点
FM22L16是256K×16非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，存取的时间为55ns，周期为110ns。该器件以“无延迟” (No Delay)写入的总线速度进行读写操作，耐久性至少为1e14(100万亿)次写入和10年的数据保存能力。
这种4Mb FRAM是标准异步SRAM完全替代器件，但其
性能却优越很多，因为它在进行数据备份时不需
电池，并且具有单片芯片方式固有的高可靠性。FM22L16是真正的表面安装解决方案，与SRAM不同的是它不再需要电池而且具有很高的耐潮湿、抗冲击和振动特性。
FM22L16备有便于与现今高性能
微处理器相连的接口，兼具高速页面模式，可以高达40MHz的速度进行4字节Burst读/写操作，这比普通RAM的总线速度高出很多。该器件较标准SRAM具有更低的工作
电流，读/写操作时为18mA，在超低电流睡眠模式下仅为5uA。FM22L16在整个工业温度范围内(-40℃至+85℃)于2.7V至3.6V
电压工作。
价格和现货
FM22L16的工程样件现已提供，并计划在2007年第三季限量供应，第四季开始量产。该器件采用符合RoHs要求的44脚TSOP-II封装，订购10,000件的起价为19美元。
