目前唯一可以提供45纳米光掩膜刻蚀所需要的至关重要的纳米制造技术系统。Tetra III通过控制石英掩膜把刻槽深度控制在10 Å以内，同时把临界尺寸损失减小到10nm以下，使客户可以在最重要的器件层交替使用相移掩膜和强有力的光学临近修正技术。该系统为基于铬、石英、氮氧硅钼等多种新材料的下一代光刻技术应用提供无差错、高产能的刻蚀工艺。
应用材料公司资深副总裁，刻蚀、清洁、前道和离子注入产品事业部总经理Tom St. Dennis表示：“Tetra III 系统在先进的二元掩膜及相移掩膜应用中的出色表现是帮助客户实现45nm及更小技术节点掩膜产品的关键。随着业界开发出一些潜在的新一代光刻解决方案，相关应用也以前所未有的速度不断涌现。Tetra III系统能够胜任所有光刻应用，在各种不同的光掩膜材料上完成刻蚀工作。”
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