飞兆半导体推出互补型40V MOSFET能改进LCD设计的尺寸、成本和可靠性

作者：信息来源:电子市场 2007-7-7

字体大小:小 中 大网友评论条 进入论坛

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前推出互补型40VMOSFET器件FDD8424H，采用双DPAK封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。FDD8424H专为半桥和全桥逆变器设计而优化，是液晶电视、液晶显示器所用背光单元(BLU)以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。此外，FDD8424H在...

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 日前推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H，采用双DPAK封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。FDD8424H专为半桥和全桥逆变器设计而优化，

液晶电视、液晶显示器所用背光单元 (BLU) 以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双SOIC (SO8) 封装的替代解决方案相比，双DPAK封装FDD8424H的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外，FDD8424H在单一封装中集成了一个P沟道高端MOSFET和一个N沟道低端MOSFET，因而容许器件内共漏连接，从而简化电路板布局并缩短设计时间。

互补型40V MOSFET能改进LCD设计的尺寸、成本和可靠性
飞兆半导体通信和消费产品市务经理Mike Speed 表示：“飞兆半导体的FDD8424H使到显示器设计

员能够对逆变器设计的占位面积和热性能进行优化。相比传统的SO8 封装解决方案，双DPAK封装中优化的导通阻抗RDS(ON)和栅极电荷 (Qg) 增强了开关性能，因此能降低热耗及提高效率。而且，在驱动8个CCFL灯的背光逆变器中，FDD8424H可使外壳温度降低12%。”
      FDD8424H的主要特性包括：
     优化RDS(ON)和栅极电荷 (Qg) 的组合，提供出色的开关性能
     N沟道提供4.1C/W的同类最小热阻抗 (θJC)，P沟道则为3.5 C/W
      单一封装中集成半桥解决方案，能减小器件占位面积及降低系统总体成本
      P沟道和N沟道MOSFET的共漏连接集成，能简化线路板布局

种无铅产品能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。交货期为6至8周。