日前，为不断满足对高热效功率半导体不断增长的需求，VishayIntertechnology,Inc。(威世)宣布推出七款采用新型PowerPAKChipFET封装的p通道功率MOSFET，该封装可提供高级热性能，其占位面积仅为3mm×1。这些新型PowerPAKChipFET器件的热阻值低75%，占位面积小33%，厚度(0。凭借低传导损失及更高热效，Vishay新型PowerPAKChip...
日前，为不断满足对高热效功率
半导体不断增
的需求，Vishay Intertechnology, Inc.(威世)宣布推出七款采用新型PowerPAK ChipFET封装的p通道功率MOSFET，该封装可提供高级热
性能，其占位面积仅为3mm×1.8mm。
些新型PowerPAK ChipFET器件的热阻值低75%，占位面积小33%，厚度(0.8毫米)薄23%，它们成为采用TSOP-6封装的MOSFET的小型替代产品。这些器件的最大功耗为3W，与更大的SO-8封装的相同。
凭借低传导损失及更高热效，Vishay新型PowerPAK ChipFET系列中的p通道功率MOSFET可延长便携式设备的
电池使用时间，在这些器件中，它们将用于替代采用TSOP-6封装的负载、充
电器及电池MOSFET
开关。此外，肖特基二极管版本的p通道还可作为便携式设备或异步直流到直流应用中的充电器开关，例如硬盘驱动器及游戏机中的充电器开关，以替代采用SO-8封装的器件。
由于这些新型PowerPAK ChipFET功率MOSFET具有多种配置及
电压，因此设计
员可利用采用这种创新封装的器件轻松替代热效更低的更大MOSFET。日前推出的这七款新型器件为单通道、双通道及单通道带肖特基二极管的功率MOSFET，它们的额定击穿电压为12V及20V。
采用PowerPAK ChipFET系列封装的单个p通道功率MOSFET的额定典型热阻值低至3℃/W(RthJC)，20VDSp通道单信道器件中的最大导通电阻值低至0.021Ω，双通道器件的最大导通电阻值为0.064Ω——与采用TSOP-6封装的器件相比，改进了50%。
同样封装的互补n通道与p通道PowerPAK ChipFET MOSFET对于n通道元件具有0.039Ω的导通电阻值，对于p通道元件具有0.072Ω的导通电阻值，与采用TSOP-6封装的导通电阻值-rDS(on)最低的相应器件相比，改进了35%以上。
目前，这些新型PowerPAK ChipFET器件的样品及量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为12-14周。所有这些新型PowerPAK ChipFET器件均与采用标准ChipFET封装的产品引脚兼容。
