凌力尔特推出LTC4443/-1高速同步MOSFET驱动器

作者：信息来源:电源在线 2008-3-24

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凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4443/-1，该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和凌力尔特公司众多 DC/DC 控制器之一相结合，可形成一个完整的高效率同步电源|稳压器|稳压器，以用作降压或升压型 DC/DC 转换器。这个...

　　凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4443/-1，该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。个驱动器与功率 MOSFET 和凌力尔特公司众多 DC/DC 控制器之一相结合，可形成一个完整的高效率同步电源|稳压器|稳压器，以用作降压或升压型 DC/DC 转换器。

　　这个强大的驱动器可以吸收高达 5A 的电流并提供高达 2.4A 的电流，从而非常适用于驱动大栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4443/-1 还可以为较大电流应用驱动多个并联 MOSFET。当驱动 3000pF 负载时，快速 12ns 上升时间和 8ns 下降时间最大限度减小了开关损耗。该器件还集成了自适应贯通保护，以防止高端和低端 MOSFET 同时导通，并最大限度缩短死区时间。该器件含有集成的自举肖特基二极管，可简化电路。

　　LTC4443/-1 包括一个三态 PWM 输入以用于电源级停机，该输入与所有具三态输出功能的多相控制器兼容。另外，该器件还有一个单独的电源，供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外，该器件在 6V 至 9.5V 范围驱动高端和低端 MOSFET 的栅极，并在电源电压高达 38V 时工作。“-1”版本具有较高的 6.2V VCC 欠压闭锁，而不 3.2V，以用来驱动标准 5V 逻辑 N 沟道 MOSFET。

LTC4443EDD 和 LTC4443EDD-1 都采用 3mm x 3mm DFN-12 封装，以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 1.35 美元。LTC4443IDD 和 LTC4443IDD-1 经过测试，保证在 -40℃ 至 85℃ 的工作温度范围内工作，千片批购价为 1.50 美元。

　　性能概要：LTC4443/-1

　　*同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

　　*大驱动电流: 提供 2.4A，吸收 5A

　　*自适应贯通保护

　　*驱动 3000pF 负载时高端栅极下降时间为 8ns

　　*驱动 3000pF 负载时高端栅极上升时间为 12ns

　　*三态 PWM 输入用于电源级停机

　　*集成自举肖特基二极管

　　*最高电源电压为 38V

　　*栅极驱动电压为 6V 至 9.5V

　　*LTC4443 的 UVLO 为 3.2V

　　*LTC4443-1 的 UVLO 为 6.2V