瑞萨科技开发出了临界导通模式的功率因数校正（PFC）控制IC“R2A20116”。临界导通模式
指为了改善电源|稳压器效率和减低噪音，在检测到升压线圈的电位为零之后，切换外置MOSFET的模式。该MOSFET的控制方法采用了间插方式——利用主次两组信号间让多个开关元件（FET）交叉动作。
样一来，与利用一个信号驱动多个MOSFET的单模方式相比，输出信号的纹波电流可减至单模的1/4以下。利用具备上述特点的该IC，可实现电源的输入滤波器、升压线圈及输入/输出电容器等外置产品的小型化。
为了改善个
电脑和服务器等所需要的低负荷时的电源效率，还配备了低负荷时停止次级MOSFET驱动信号的功能，以及调节输出电压的功能。这样一来，在所有负荷范围内均能实现较高的转换功率。最大电源电压为24V。工作接合部的温度为-40～＋150℃。
内置的保护功能方面，配备了输入电压减小时停止工作的电力减弱（Brown-out）功能、两个过电压电路以及欠压保护(UVLO)等。
封装采用SOP-20和DILP-20两种。2008年6月开始样品供货。样品价格均为130日元。
该公司将在08年4月16日～18日幕张Messe会展中心举行的“TECHNO-FRONTIER 2008”上展出此次的产品。
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