美
威讯联合半导体（RFMD）上市了面向无线LAN和WiMAX的基站及接入点等的功率放大器IC“SZP-5026Z”（英文发布资料）。支持4.9G～5.9GHz的无线带宽。采用基于InGaP类化合物半导体的HBT（Heterojunction bipolar Transistor，异质结双极型晶体管）技术制造。
配备2W的AB级放大器。可以作为WiMAX终端输出的终级，或置于其前级的驱动放大器使用。输出功率为＋25.5dBm时，EVM（Error Vector Magnitude，误差矢量幅度）为2.5％。带宽为5.9GHz时，P1dB（1dB增益压缩时的输出功率）为32.5dBm。
工作电压为＋3～5V。采用SOF-26封装。工作温度范围为－40～＋85℃。具备1kV（
体模型）的ESD（静电放电）耐受性。现已量产。
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