ST推出全新快速恢复MOSFET产品

作者：信息来源:电子设计技术 2008-5-14

字体大小:小 中 大网友评论条 进入论坛

意法半导体推出快速恢复MOSFET晶体管新产品系列，为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求，新产品在现有产品的基础上提高了开关性能，同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。 II系列产品的首款产品，这是一款600V N沟道MOSFET晶体管，0。060欧姆的导通电阻在快速恢复MOSFET晶体管市场上创下最低记录，采用工业...

　　意法半导体推出快速恢复MOSFET晶体管新产品系列，为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求，新产品在现有产品的基础上提高了开关性能，同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。

　　STW55NM60ND新的超结FDmesh™ II系列产品的首款产品，是一款600V N沟道MOSFET晶体管，0.060欧姆的导通电阻在快速恢复MOSFET晶体管市场上创下最低记录，采用工业标准的TO-247封装。由于最大漏极电流达到51A，在对空间有严格要求的电信设备和服务器系统转换器中，可以用一个MOSFET晶体管替代多个标准器件。再加上降低的损耗实现更高的热管理效率，新产品让设计工程师大幅度提高功率密度。

　　为把这些改进的性能变为现实，ST对FDmesh超结架构进行了技术改进，在传统的带状MOSFET结构中融合垂直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（ZVS）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。

　　采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复MOSFET晶体管具有业内最低的导通电阻。其中，STP30NM60ND采用TO-220封装，额定漏极电流25A，导通电阻0.13欧姆；STD11NM60ND采用DPAK贴装封装，漏极电流10A，导通电阻0.45欧姆；ST的FDmesh II系列产品将不断推出新产品，以扩大电压和电流性能的选择范围，后续产品将采用业内标准的功率封装。

　　STW55NM60ND现在已开始量产。

分页：