家“863”半导体照明工程重点项目“氮化镓-MOCVD深紫外LED材料生
设备”制造取得重大突破，有关
员研制成功了我国首台具有自主知识产权的、能够同时生长6片外延片的MOCVD设备。 
一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子|激光器件专用设备，在高亮度的蓝光发光二极管(LED)、激光器(LD)、紫外光电探测器、高效率太阳能电池、高频大功率电子器件领域中具有广泛应用，是半导体照明产业上游阶段关键设备。目前，国内半导体照明产业的研发和生产所需设备全部需要从国外购买。
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