该系列结合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，比标准SO-8器件的占位面积小40%，而且采用了0.7mm纤薄设计。导通电阻 (RDS(on)) 非常低，同时把栅极电荷 (Qg) 和栅漏极电荷 (Qgd) 减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。
IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M具有极低的RDS(on) 特性，非常适合高电流同步MOSFET。
些新器件与上一代器件采用通用的MT和MX占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。
IRF6721S、IRF6722S与IRF6722M极低的Qg和Qgd，使这些器件非常适用于控制MOSFET。它们还有SQ、ST和MP占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。
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