IRS260xD系列高速功率MOSFET和IGBT驱动器可以10V 至20V的栅极驱动电源|稳压器电压提供可选的依赖或独立高侧和低侧
考输出通道。该输出驱动器有一个高脉冲电流缓冲级，适用于最小的驱动器跨导，同时浮动通道可以用来驱动工作在高达600V高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。
些器件可为两种通道提供匹配的传播延迟，且具备一个先进输入滤波器，以改善除负电压尖峰 (Vs) 免疫性以外的抗噪性，避免系统在大电流切换和短路情况下的灾难性事件。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示："具有集成自举功能的单相栅极驱动器IRS260xD系列提供了一种灵活的解决方案，适用于梯形调制等各种PWM方案。新器件具备负电压尖峰免疫性等完整保护功能，可应用于紧凑、坚固的电机控制设计。"
IRS2607D高侧和低侧驱动器具有同相输出和输入功能，适用于梯形和正弦电机控制。
IRS2608D和IRS2609D半桥驱动器具有540 ns的内部死区时间。IRS2608D还可提供高侧同相输出及HIN输入，以及低侧异相输出和LIN输入，适用于梯形和正弦电机控制。IRS2609D具有同相高侧输出和IN输入功能，以及关断两个通道的关断输入。
新IC采用了IR先进的高压IC工艺，集成了新一代高压电平转换和端接技术，可提供卓越的电气过应力保护和更高的现场可靠性。IRS260xD具有欠压锁定保护、集成死区时间保护、击穿保护和关断输入功能，并兼容3.3V输入逻辑。
产品基本规格如下：
8引线 SOIC封装产品已经批量供货。新器件符合电子产品有害物质限制规定 (RoHs) 。
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