松下电器产业开发出了以低噪音为特点的GaN集成电路，电路的信号放大率在26GHz频带时为22dB。噪音指数为1.4dB。t通过栅极绝缘膜采用缺陷少的结晶氮化硅（SIN）类材料，减小了晶体管的泄漏电流。比原来采用非结晶膜时减小了30％。
另外，为了抑制高周波信号的传输损失和削减成本，采用了通过电信号连接构造在廉价的蓝宝石底板上连接底板表面和背面的电极的贯通电极方法。贯通孔的加工方法采用的
在蓝宝石底板上照射高功率脉冲激光的自主开发技术。
此次的成果将于2008年6月15～20日在美
亚特兰大举办的“2008 International Microwave Symposium”上发布。
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