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2008-06-11Maxim推出一款集成反相电荷泵电源的单声道G类功率放大器MAX9730

摘要：MAX9730是一款集成反相电荷泵电源|稳压器的单声道G类功率放大器。5VDC的电源电压范围内，电荷泵能够提供高达500mA峰值电流，可确保在驱动8Ω负载时能提供高达2。 MAX9730通过提供高效率来最大限度的延长电池寿命。MAX9730的高效率允许其采...
2008-06-11HOLTEK推出内建Remote功能的LCD型微控制器HT49RA1

摘要：HOLTEK半导体推出内建Remote功能的LCD型微控制器HT49RA1。HT49RA1的ROM为4k*15、RAM为160 Bytes、I/O最多为8端、Input最多为8端，因此最多可以驱动64颗按键扫描，最多可驱动128点的LCD Panel。除了拥有一般I/O接脚外，更提供极宽范围的载...
2008-06-11TI发布SC70封装零漂移双向电流分流监测器ICINA210系列

摘要：日前，德州仪器|仪表(TI)宣布推出系列采用SC70封装的高或低侧测量型双向电流分流监测器IC。INA210产品系列采用零漂移双向架构，最高失调电压35uV，在-40℃～+125℃的宽泛工作温度范围内误差仅为1%。零漂移几乎消除了失调，因而能够大幅降...
2008-06-11ST针对蓝光数据存储推出高集成度升压直流-直流转换器ST8R00

摘要：意法半导体推出一款创新的升压直流-直流转换器，这是市场上首款具有输出电流终止功能的转换器。 ST的全新ST8R00最适合给新一代便携光电数据存储设备的蓝光二极管供电。在印刷电路板（pcb）的面积和成本方面，便携设备对设计人员的限制非常...
2008-06-11晶锜科技新推LED屏幕恒流控制ICSCT2024

摘要：精准的电流误差，更加准确的再现LED技术表现效果。...
2008-06-11赛普拉斯推出鼠标用单芯片激光导航系统OvationONSII

摘要：日前，赛普拉斯半导体公司（CYPRESS）宣布推出第二代激光导航产品系列，这也是首款在单芯片上集成激光导航感应器与具有闪存的可编程微控制器产品。这款全新的 OvationONS II 激光导航片上系统不仅完美集成了可编程 CPU、USB 接口及高度可...
2008-06-11立迪思推出可排序的低噪音300毫安LDO线性稳压器LDS8211BP

摘要：)近日宣布推出LDS8211BP新产品之测试样品。LDS8211BP是一个低噪音及可调节设定的300 毫安 LDO线性电源|稳压器，适用于≥1。LDS8211BP 以SOT-23-5封装，以1 uF滤波电容稳定电压，使它成为亟需节省空间的辅助电路轨的最佳解决方案。LDS821...
2008-06-11Linear全新LED控制器LT3755可向LED提供超过50W的功率

摘要：凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 60V、高压侧电流检测DC/DC转换器 LT3755，该器件为驱动大电流 LED 而设计。LT3755 使用外部 N 沟道 MOSFET，可以用标称 12V 的输入驱动多达 14 个 1A 的白光led，提供超过 50W 的功率...
2008-06-11BROADCHIP推出双通路单刀双掷CMOS模拟开关BCT4158

摘要：BROADCHIP TECH最近新推出一款适用于音频和高速信号切换的双通路单刀双掷CMOS模拟开关BCT4158，该产品具有300MHz的高带宽和3Ω@4。BCT4158工作电压范围1。BCT4158完全采用无公害无铅环保封装，工作温度范围为-40℃到+85℃，封装形式为DFN...
2008-06-11TI推出零漂移双向电流分流监测器INA210系列

摘要：日前，德州仪器|仪表 (TI) 宣布推出系列采用 SC70 封装的高或低侧测量型双向电流分流监测器 IC。INA210 产品系列采用零漂移双向架构，最高失调电压 35uV，在 -40℃～+125℃ 的宽泛工作温度范围内误差仅为 1%。零漂移几乎消除了失调，因而...
2008-06-11NXP推出移动多媒体电视输出处理器SAA8510

摘要：恩智浦半导体（NXP Semiconductor）近日推出移动多媒体电视输出处理器SAA8510，可在任何配备标准液晶接口的移动设备上实现电视输出。SAA8510 可将移动数字视频信号转换为优质模拟电视信号，然后在任意NTSC或PAL电视上播出。该产品采用先进...
2008-06-10艾讯宏达推出高性价比Q35PICMG1.0长卡

摘要：SYS7190VGGA基于英特尔 Q35高速芯片组并结合英特尔酷睿 2 双核或英特尔酷睿 2 四核处理器平台，支持下一代 45 纳米英特尔酷睿2 处理器家族，在功能测试中刷新多项性能记录，同时降低了能耗和噪音，能轻松应对要求最为苛刻的多任务处理环...
2008-06-10FunctionBay推出新一代RecurDyn仿真虚拟设计平台

摘要：韩国FunctionBay公司将携最新一代多体动力学机构仿真虚拟设计开发平台RecurDyn（Recursive Dynamic）参加2008年12月9-11日在中国上海光大会展中心举办的ISEC 2008国际仿真工业展览会暨工程师大会。 RecurDyn是由韩国FunctionBay公司基于划...
2008-06-10ST推出全新高性能单机影像信号处理器STv0986

摘要：意法半导体（ST）推出全新高性能单机影像信号处理器，新产品支持手机内置双相机，使手机具有与数码相机同级的拍照性能。ST最新的数字影像处理器能够完整控制手机的影像子系统，支持多种相机模块，包括分辨率高达500万像素的SMIA（标准手机...
2008-06-10NXP推出符合NorDig标准的系统级机顶盒解决方案STB100T21

摘要：恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日宣布其STB100 T21参考设计板成为第一个通过NorDig 1。3验证测试流程的全数字地面系统级解决方案。符合NorDig 1。3标准要求确保了STB100参考设计板能够实现卓越的数字信号接收，并且为OEM厂商提供一...
2008-06-10TI针对EPON光纤线路终端推出TLK2541双速SerDes器件

摘要：日前，德州仪器|仪表 (TI) 宣布推出一款低功耗的串行器/解串器 (SerDes) 器件，该产品可提供快速的重锁时间，并支持点对点数据传输系统中1～2。SerDes收发器的独立传输与接收通道允许异步数据速率操作。5 Gbps 或二者混合的以太网无源光纤...
2008-06-10RECOM推出高效1A和1.5A开关调节器R-78Bxx-1.0/1.5

摘要：RECOM 推出高效1A和1。5A开关调节器。此开关调节器为非绝缘式，具有内置的短路保护和过热保护。...
2008-06-10BROADCHIP推出单刀双掷模拟开关BCT4157，适用于音频和高速信号切换

摘要：BROADCHIP TECH最近推出一款适用于音频和高速信号切换的单刀双掷模拟开关BCT4157，该产品具有300MHz的高带宽和3Ω的低导通电阻，并且拥有优异的导通电阻稳定性，该特性使得它在切换音频信号时可以保证杰出的线性和低失真，大大提高了声音...
2008-06-10Micrel推出2.5Gbps新型激光二极管驱动器SY88212L

摘要：麦克雷尔公司(Micrel Inc。5Gbps 新型激光二极管驱动器 (LDD)，该驱动器带有整合的自动功率控制 (APC) 和功率监控功能，从而能够在温度出现变化时和该激光装置的整个生命周期内保持恒定的平均光功率。SY88212L 在设计上还可以承受较高的恒...
2008-06-10Microchip推出完整的8位/16位/32位USB单片机产品线

摘要：Microchip Technology Inc。（美国微芯科技公司）近日宣布推出由单一集成开发环境——免费的MPLAB IDE支持的业内最完整的8位、16位及32位USB单片机（MCU）产品线。在丰富的8位USB pic单片机产品基础上，Microchip现又推出全新的低功率16位...
2008-06-06三星试制出BluePhase模式液晶面板

摘要：日前，三星试制出的“Blue Phase模式液晶面板”引发了业界的普遍关注，因为专业技术人员知道，“如果这能够得以实用化，那将是10年、20年一遇的革命性技术。” Blue Phase模式液晶面板的特点是：超高速响应、超宽视角并且无需配向膜。某液...
2008-06-06友达光电采用3片掩膜试制出1.8英寸液晶面板

摘要：近日，台湾友达光电(AUO)发布了用3片掩膜形成TFT阵列的工艺。采用半色调掩膜（Half Tone Mask）与剥离（Lift Off）法，仅用一片掩膜就实现了钝化层(Passivation Layer)的开口与ITO图案的形成，并采用此工艺试制出了1。8英寸TFT液晶面板。...
2008-06-06威盛、NVIDIA将合作抢攻低价PC市场

摘要：据拓墣产业研究所报道，我国台湾地区芯片厂威盛电子自2007年淡出英特尔平台芯片组市场之后，目前营收主要来自x86架构的超便式计算机处理器，约占七成以上。威盛日前推出以笔记本电脑为主、核心代号为Isaiah的“C8”NANO处理器后，6月5日又...
2008-06-06三星：内存走出谷底价格即将反弹

摘要：随着供过于求状况的缓解，三星预计电脑内存价格在今年晚些时候会出现反弹。据国外媒体报道，新上任的三星电子内存业务主管Kwon Oh Hyun日前在一次会议上表示，内存芯片价格将不再“处于底部”。德意志银行曾预计内存产业已经处于波谷，供...
2008-06-06可擦写一亿次以上日研发新型NAND闪存单元

摘要：据报道，日本产业技术综合研究所（产综研）与东京大学，联合研制出了采用强电介质栅极电场效应晶体管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND闪存存储单元。可擦写1亿次以上，写入电压为6V以下。而此前的NAND闪存存...