存储器市场风起云涌，美光携强援加入NAND战局

作者：信息来源:国际电子商情 2006-5-9

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美光科技(Micron Technologies)在本届IIC上展出了NAND闪存和新的针对不同应用市场的DRAM存储器。记者在IIC上走访了美光科技的NAND闪存事业部和DRAM部门的高层，了解美光科技在存储器领域的技术和发展方向。美光科技和英特尔去年底合资成立了IM Flash Technology LLC。美光和英特尔三年内将对IM Flash Technology LLC共同投...

　　美光科技(Micron Technologies)在本届IIC上展出了NAND闪存和新的针对不同应用市场的DRAM存储器。记者在IIC上走访了美光科技的NAND闪存事业部和DRAM部门的高层，了解美光科技在存储器领域的技术和发展方向。

　　美光科技和英特尔去年底合资成立了IM Flash Technology LLC。美光和英特尔三年内将对IM Flash Technology LLC共同投资52亿美元。新的合资公司专注于NAND闪存的研发和制造。新公司中美光科技占51％的股份，英特尔占49％的股份。美光科技最近又收购了知名的存储卡生产商Lexar（雷克沙），表明了美光加强NAND闪存业务的决心。

IM Flash Technology LLC将结合美光和英特尔在NAND业务上相关的生产技术与资产，主要采用美光在NAND技术上的开发经验以及高效率的生产设备，以及Intel的多级单元(MLC)技术来共同发展NAND闪存业务。

　　IM Flash Technology LLC计划在今后三年内成立3个300mm FAB，专门制造NAND闪存。生产工艺从现有的90nm，逐渐向72nm和55nm过渡。目前NAND闪存在美光科技的总部所在地Boise生产。美光的NAND Flash采用了SLC和MLC技术。现在能够提供的闪存容量从2Gb到8Gb，未来将向更大容量迈进。

　　如今手机中的应用处理器中很多都已经集成了NAND Flash接口，所以NAND Flash在手机中的使用会逐渐增多。在手机中通过NAND Flash配合DRAM的方式，进行代码映射操作。随着今后3G手机和智能手机操作系统和应用程序的体积不断增大，NAND Flash的使用会越来越多。

　　NAND Flash除了在数码产品中使用外，今后还可能会在桌面PC中得到使用，以部分的取代硬盘的功能。相比硬盘来说，NAND Flash具有更好的可靠性、省电特性以及高得多的速度。今后NAND Flash在PC中的使用，可能会作为储存操作系统的存储器使用，

样启动速度比起传统的硬盘会有质的提高。

　　DRAM方面，针对通信和存储市场，美光科技新推出了RLDRAM II。相对于以前使用的SDRAM，RLDRAM II具备很低的延迟，更高的带宽和更高的性能。RLDRAM II的tRC从DDR的45ns下降到15ns，因此相比DDR具有更高的读/写性能。相比SRAM，RLDRAM II的成本更低，容量大大增加。RLDRAM II的供电电压为1.5V－1.8V，频率从400MHz到533MHz，带宽为4Gbps。为了支持通信所需要的ECC功能，总线宽度为9位/18位/36位。RLDRAM II今后的使用量会稳定增

，到目前为止增长速度要比美光原来预期的快。

　　美光科技针对手机市场推出了Cellular RAM用以取代SRAM，Cellular RAM利用了DRAM的技术，但

保留了SRAM的接口。提供了比SRAM更高的密度和更低的成本，同时功耗维持在SRAM相近的水平。

　　美光科技的DDR2产量现在已经几乎超过DDR，工作频率达到400MHz,带宽为800Mbps。新的DDR3的速度会更高，频率将从400MHz起步，一直到833MHz。DDR3与DDR2延迟相近，但是速度和带宽显著提高。DDR3的供电电压为1.5V, 相比DDR2具有更低的功耗。DDR3会在2007年下半年逐渐进入高端的桌面PC和高性能服务器市场。

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