东芝2百万CMOS图像传感器实现量产，3百万已出样片

作者：  信息来源:国际电子商情  2006-5-9

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东芝在IIC上展出了它刚实现量产的2百万CMOS图像传感器(像素间距为2。7μm)，该公司发言人表示，目前3百万CMOS图像传感器(像素间距为2。2μm)也已实现样产，5百万CMOS图像传感器(像素间距为1。 东芝还展出了高清电视的双芯片(TC90400+TC90200)解决方案以及8Gb NAND型闪存(平均功耗为33毫瓦，主要用于文件存储)，下一步东芝准...

　　东芝在IIC上展出了它刚实现量产的2百万CMOS图像传感器(像素间距为2.7μm)，该公司发言表示，目前3百万CMOS图像传感器(像素间距为2.2μm)也已实现样产，5百万CMOS图像传感器(像素间距为1.75μm)则仍在开发之中。

　　东芝还展出了高清电视的双芯片(TC90400+TC90200)解决方案以及8Gb NAND型闪存(平均功耗为33毫瓦，主要用于文件存储)，下一步东芝准备开发16Gb NAND型闪存。为了在同一块芯片上同时提供NOR型和NAND型闪存，东芝采用了移动堆栈MCP封装技术，其集成的NOR型和NAND型闪存的容量分别为从32Mb到256Mb和从256Mb到4Gb，其9层堆栈的厚度(包括衬底)仅为1.4mm，5层堆栈厚度仅为1.0mm，最大外形为11×14mm，最小为7×10mm。

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