需求停滞，DRAM与NAND Flash市况低迷面临考验

作者：信息来源:国际电子商情 2006-5-9

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DRAMeXchange针对DRAM与NAND Flash市场发布的最新分析报告指出，根据该机构所调查的3月下旬合同价，DRAM厂没有进一步提高价格，不论DDR模块或DDR2模块都大致以持平成交。而由于厂商产能持续增长但市场需求低迷，NAND Flash产业正经历着本年度最大幅度的单月价格幅度下滑。在DRAM部分，DRAMeXchange指出，3月下旬DDR2缺货现...

　　DRAMeXchange针对DRAM与NAND Flash市场发布的最新分析报告指出，根据该机构所调查的3月下旬合同价，DRAM厂没有进一步提高价格，不论DDR模块或DDR2模块都大致以持平成交。而由于厂商产能持续增但市场需求低迷，NAND Flash产业正经历着本年度最大幅度的单月价格幅度下滑。

　　在DRAM部分，DRAMeXchange指出，3月下旬DDR2缺货现象虽不比2月份严重，仍处吃紧状态，因此DDR2 512MB模块最低价维持44美元，而最高价则小跌2%，由49美元降至48美元；DDR模块512MB则

在最低价部份，下跌了2.78%，由38美元降至37美元。

　　展望第二季度DRAM价格行情，DRAMeXchange表示，由于大部份DRAM厂持乐观态度，DRAM价格应在4月及5月份呈向下趋势，而在6月份触底，蕴酿反弹向上趋势。该机构认为第二季度DRAM增长率并不大，尤其是PC用大众型DRAM，因此将2006年DRAM增长率由46.3%下调至44.6%。

　　DRAMeXchange认为，DRAM市场增长将主要表现在下半年。因为2006上半年DRAM受到工厂产能配置转移至其它产品，以及90纳米制程良率问题影响，使DRAM在第一季度及第二季度同比增长率(QoQ)皆低于10%，要到第三季度及第四季度，其QoQ增长率方有近12%至15%的增长率。

　　对于NAND Flash市场，DRAMeXchange表示，由于大多数供货商面临季末压力和日本地区的年末压力，以及生产改良和技术改进后逐减成长的NAND Flash供应等因素，造成了NAND Flash需求依然停滞，使今年第一季度的NAND Flash现货价和合同价未出现任何反弹的迹象。

　　根据DRAMeXchange 3月17日更新的合同价分析，NAND Flash产业正经历着本年度最大幅度的单月价格幅度下滑，跌幅19-31%。另一方面，NAND Flash现货价MoM与合同价相比相差较大，差额在22～36%区间内。以主流容量4Gb为例，合同价和现货价分别达到11.4美元和10.31美元。虽然现货价已低于合同价，但目前的价格水准仍然仍不足以低到刺激需求，大多数的客户还在观望等待价格触底。

　　DRAMeXchange指出，由于受到NAND Flash业内客户和供货商的季末压力，特别是日本市场年底压力，NAND Flash库存目前保持在最低的水准，而为了维持低水准库存，客户不愿提货。此外根据业界消息，客户手上依然有大量存货，因此抑制了其购买NAND Flash的意愿。另一方面，NAND Flash供货商的产出也在增加；该机构表示，举例来说，Hynix已开始增产其MLC制程产品，三星也积极进行其60nm SLC的资格认证，尽管1月中旬已进行了产能转移，但因以上两点因素影响，NAND Flash总产出依然在扩大，再加上目前的供需状况，不难预见NAND Flash价格在三月底之前仍将下滑。

　　而根据DRAMeXchange来自供货商的消息，尽管CeBIT展会结果令