家863计划课题“ZnO基短波
激光器若干关键技术研究”取得重要突破。该课题组经过三年时间上千次的材料生长和工艺实验，在国际上首次研制成功ZnO基同质PN结发光器件（LED），在室温（29℃）下实现了蓝光、黄光发射。该成果突破了用于ZnO系材料生长的有机化学气相沉积（MOCVD）设备、ZnO单晶制备、ZnO薄膜材料生长和掺杂、欧姆接触等一系列材料器件技术难题，形成了ZnO单晶衬底技术、ZnO金属MOCVD系统技术、ZnO材料的MOCVD同质外延技术和ZnO p型掺杂原位控制及激活技术等多项具有自主知识产权技术，
继日本东北大学在铝镁酸钪衬底上用分子束外延方法研制成功ZnO基LED后的一项重大科技研究成果，标志着我国已成功进入ZnO发光器件
一前沿战略高科技领域的国际领先行列。
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