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- [电子基础] 元器件：离子注入法制磁性半导体材料方法
离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体薄膜的方法，将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半导体薄膜中，即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子，然后在850－900℃、NH3气...
- [电子基础] 离子注入法制磁性半导体材料方法
离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体薄膜的方法，将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半导体薄膜中，即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子，然后在850－900℃、NH3气...
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