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- [电子基础] 变频器逆变器件的原理介绍
逆变器件的介绍：1.SCR和GTO晶闸管⑴普通晶闸管SCR曾称可控硅，它有三个极：阳极，阴极和门极。SCR的工作特点是，当在门极与阴极间加一个不大的正向电压（G为+，K为—）时，SCR即导通，负载Rl...
- [电子基础] 为什么要在晶闸管两端并联阻容网络
在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断...
- [电子基础] 知识:为什么要在晶闸管两端并联阻容网络
在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断...
- [电子基础] 晶闸管的主要参数
晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流I...
- [电子基础] 晶闸管的结构及性能特点1
（一）普通晶闸管普通晶闸管（SCR）是由PNPN四层半导体材料构成的三端半导体器件，三个引出端分另为阳有A、阴极K和门极G、图8-4是其电路图形符号。普通晶闸管的阳极与阴极之间具有单向导电的性能，其内...
- [电子基础] 晶闸管的结构及性能特点2
（一）晶体管的结构特性1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别...
- [电子基础] 晶闸管及其分类
晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称，谷称可控硅，它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高...
- [电子基础] 如何测试单向晶闸管的好坏
测量单向晶闸管，可按图1-1搭一个简单电路。先接通单向晶闸管的阳级（A）和阴极（k），控制极G不接。如此时指示灯亮，被测晶闸管则是坏的。当被测晶闸管所接指示灯不亮时，再接一下控制极G，然后断开。如果灯...
- [电子基础] TSC无功补偿装置的设计
摘要：晶闸管投切电容器（TSC）是静止无功补偿技术的发展方向。根据笔者设计的一种TSC无功补偿装置，分析了TSC装置常用的主电路的特点，介绍了电容器投切判据与信号检测、零电压投入以及晶闸管触发电路等关...
- [电子基础] 晶闸管的工作原理
在中频炉中整流侧关断时间采用KP-60微秒以内，逆变侧关短时间采用KK-30微秒以内这也是KP管与KK管的主要区别晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的...
- [电子基础] 光控晶闸管
通常晶闸管有三个电极：控制极G、阳极A和阴极C。而光控晶闸管由于其控制信号来自光的照射，没有必要再引出控制极，所以只有两个电极(阳极A和阴极C)。但它的结构与普通可控硅一样，是由四层PNPN器件构成....
- [采购参考] 晶闸管的选用经验
1．选择晶闸管的类型晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。若用于交流开关、交流调压、交流电动机线...
- [电子基础] 电子类常用缩写(英文翻译)
AC(alternatingcurrent)交流(电)A／D(analogtodigital)模拟／数字转换ADC(analogtodigitalconvertor)模拟／数字转换器ADM(adapt...
- [新品快递] 新款NPxxx系列晶闸管浪涌保护器件（安森美）
安森美半导体(ONSemiconductor)针对电信应用推出新的NPxxx系列晶闸管浪涌保护器件(TSPD)，扩充了公司的电路保护解决方案阵容。NPxxx系列的44款器件为中心局(CO)、接入端和用...
- [新品快递] 安森美推出新款晶闸管浪涌保护器件NPxxx系列
高能效电源|稳压器半导体解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)针对电信应用推出新的NPxxx系列晶闸管浪涌保护器件(TSPD)，扩充了公司的电路保护解决方案阵容。NPxxx系列的...
- [新品快递] 安森美推款晶闸管浪涌保护器件NPxxx系列
高能效电源|稳压器半导体解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)针对电信应用推出新的NPxxx系列晶闸管浪涌保护器件(TSPD)，扩充了公司的电路保护解决方案阵容。NPxxx系列的...
- [新品快递] 安森美推出NPxxx系列晶闸管浪涌保护器件，用于电信设备
安森美半导体(ONSemiconductor)针对电信应用推出新的NPxxx系列晶闸管浪涌保护器件(TSPD)，扩充了公司的电路保护解决方案阵容。NPxxx系列的44款器件为中心局(CO)、接入端和用...
- [单片机] 基于80C196KC的电子软起动器的软硬件实现
全数字电子软起动器不仅能有效控制鼠笼式三相异步电动机起动电流，减缓电流对电动机和电网的冲击，还能在起动和运行过程检测电流、电压参数，对异常情况进行处理、显示及报警，实现对电动机的综合保护。三相鼠笼式异...
- [技术动态] 电力半导体模块新趋势
摘要：简要叙述了电力半导体模块的发展过程，介绍了晶闸管智能模块的结构和特性，描述了IGBT智能模块的现状和发展趋势，指出了我国大力发展IPEM的必要性。关键词：电力半导体模块；智能晶闸管模块；I...
- [业界新闻] 电力半导体模块的发展过程及新趋势
摘要：简要叙述了电力半导体模块的发展过程，介绍了晶闸管智能模块的结构和特性，描述了IGBT智能模块的现状和发展趋势，指出了我国大力发展IPEM的必要性。关键词：电力半导体模块；智能晶闸管模块；IGBT...