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- [新品快递] 专为同步降压转换器设计的30VDirectFETMOSFET
该系列结合IR最新的30VHEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，比标准SO-8器件的占位面积小40%，而且采用了0.7mm纤薄设计。导通电阻(RDS(on))非常低，同...
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该系列结合IR最新的30VHEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，比标准SO-8器件的占位面积小40%，而且采用了0.7mm纤薄设计。导通电阻(RDS(on))非常低，同...