逆导晶闸管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管，使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构...

全控型电力电子器件可分为双极型（含功率晶体管，可关断晶闸管、静电感应式晶闸管）、单极型（含功率场效应晶体管、静电感应式晶体管）、复合型（含绝缘门双极晶体管、MOS控制晶体管）和功率集成电路四种类型。功...

1引言感应加热用中频电源技术是通过晶闸管或MOSFET或IGBT等电力半导体器件将工频(50Hz)变换为中频(400Hz~200kHz)的技术，由于它具有控制方式灵活，输出功率大，效率较机组高，变化运...

可关断晶闸管也属于PNP四层三端结构，其等效电路与普通晶闸管相同。尽管它与普通晶闸管在结构和触发导通原埋上相同，但两者的关断原理及关断方式却截然不同。普通晶闸管导通后欲使其关断，必须使正向电流低于维持...

晶体闸流管简称晶刊管，又叫可控硅(VS)器件。晶闸管实际上是一种可控的导电开关，它能在弱电流的作用下可靠地控制大电流的流通。晶闸管具有体积小、重量轻、功耗低、效率高、寿命长及使用方便等优点。晶闸管主要...

摘要：简要叙述了电力半导体模块的发展过程，介绍了晶闸管智能模块的结构和特性，描述了IGBT智能模块的现状和发展趋势，指出了我国大力发展IPEM的必要性。关键词：电力半导体模块；智能晶闸管模块；IGBT...

摘要：简要叙述了电力半导体模块的发展过程，介绍了晶闸管智能模块的结构和特性，描述了IGBT智能模块的现状和发展趋势，指出了我国大力发展IPEM的必要性。关键词：电力半导体模块；智能晶闸管模块；I...

全数字电子软起动器不仅能有效控制鼠笼式三相异步电动机起动电流，减缓电流对电动机和电网的冲击，还能在起动和运行过程检测电流、电压参数，对异常情况进行处理、显示及报警，实现对电动机的综合保护。三相鼠笼式异...

安森美半导体(ONSemiconductor)针对电信应用推出新的NPxxx系列晶闸管浪涌保护器件(TSPD)，扩充了公司的电路保护解决方案阵容。NPxxx系列的44款器件为中心局(CO)、接入端和用...

高能效电源|稳压器半导体解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)针对电信应用推出新的NPxxx系列晶闸管浪涌保护器件(TSPD)，扩充了公司的电路保护解决方案阵容。NPxxx系列的...

高能效电源|稳压器半导体解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)针对电信应用推出新的NPxxx系列晶闸管浪涌保护器件(TSPD)，扩充了公司的电路保护解决方案阵容。NPxxx系列的...

安森美半导体(ONSemiconductor)针对电信应用推出新的NPxxx系列晶闸管浪涌保护器件(TSPD)，扩充了公司的电路保护解决方案阵容。NPxxx系列的44款器件为中心局(CO)、接入端和用...

AC(alternatingcurrent)交流(电)A／D(analogtodigital)模拟／数字转换ADC(analogtodigitalconvertor)模拟／数字转换器ADM(adapt...

1．选择晶闸管的类型晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。若用于交流开关、交流调压、交流电动机线...

通常晶闸管有三个电极：控制极G、阳极A和阴极C。而光控晶闸管由于其控制信号来自光的照射，没有必要再引出控制极，所以只有两个电极(阳极A和阴极C)。但它的结构与普通可控硅一样，是由四层PNPN器件构成....

在中频炉中整流侧关断时间采用KP-60微秒以内，逆变侧关短时间采用KK-30微秒以内这也是KP管与KK管的主要区别晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的...

摘要：晶闸管投切电容器（TSC）是静止无功补偿技术的发展方向。根据笔者设计的一种TSC无功补偿装置，分析了TSC装置常用的主电路的特点，介绍了电容器投切判据与信号检测、零电压投入以及晶闸管触发电路等关...

测量单向晶闸管，可按图1-1搭一个简单电路。先接通单向晶闸管的阳级（A）和阴极（k），控制极G不接。如此时指示灯亮，被测晶闸管则是坏的。当被测晶闸管所接指示灯不亮时，再接一下控制极G，然后断开。如果灯...

晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称，谷称可控硅，它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高...

（一）晶体管的结构特性1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别...